Добро пожаловать в Components-House.com
политика конфиденциальности Контакт
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > BSS215P H6327
Infineon Technologies

BSS215P H6327

Номер детали производителя BSS215P H6327
производитель Infineon Technologies
Подробное описание SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
Упаковка PG-SOT23-3-5
В наличии 4130 pcs
Техническая спецификация
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 4130 Infineon Technologies BSS215P H6327 в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 600mV @ 11µA
Vgs (макс.) ±12V
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-SOT23-3-5
Серии OptiMOS™P2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс) 500mW (Ta)
Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Упаковка Bulk
Свойства продукта Значение атрибута
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки Surface Mount
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 346 pF @ 15 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 3.6 nC @ 4.5 V
Тип FET P-Channel
FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS) 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 1.5A (Ta)

Рекомендуемые продукты

BSS215P H6327 DataSheet PDF

Ключевые слова для BSS215P H6327

Связанные детали для BSS215P H6327